Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 120W |
Ucb,max | 160V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 12A |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 120T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Power, General Purpose |
x104-1 | Распиновка |
---|---|