Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 350mW |
Ucb,max | 400V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30/120 |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
sanyoБиполярные транзисторы sanyoIGBT транзисторы sanyoFET транзисторы sanyo |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to52 | Распиновка |
---|---|