Биполярный транзистор - 2SA1257G4
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 100mW |
| Ucb,max | 180V |
| Uce,max | 160V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 80mA |
| Ft,max | 130MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 90/180 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
sanyoБиполярные транзисторы sanyoIGBT транзисторы sanyoFET транзисторы sanyo |
| Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
| to236 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |