Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 8A |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | 420 |
Hfe | 55/160 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to218 | Распиновка |
---|---|