Биполярный транзистор - 2SA1265N-O
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 100W |
| Ucb,max | 140V |
| Uce,max | 140V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 10A |
| Ft,max | 30MHz |
| Cctip,pF | 480 |
| Hfe | 55/160 |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
| to218 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |