Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 400mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 9 |
Hfe | 150T |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | BC640 2N3962 KT3107E |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|