Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 160V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 220 |
Hfe | 150T |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | KT505A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to92 | Распиновка |
---|---|