Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 180V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 130MHz |
Cctip,pF | 62 |
Hfe | 90T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BF436 KT505A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|