Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 130MHz |
Cctip,pF | 11 |
Hfe | 55/300 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BC640 2N4027 KT684V |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to92 | Распиновка |
---|---|