Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 90MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 800T |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | MPS750 2N4026 KT681A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, High Current |
to92 | Распиновка |
---|---|