Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 170mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | 20 |
Hfe | 60T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | ASY27 2N1997 GT321V |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to44-2 | Распиновка |
---|---|