Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Power, General Purpose |
to220 | Распиновка |
---|---|