Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 130 |
Hfe | 200/400 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
sot33 | Распиновка |
---|---|