Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 200V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 15A |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | 470 |
Hfe | 55/160 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2SA1516 2SA1301 2SB1162 2SB1163 ECG2329 |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
x104-1 | Распиновка |
---|---|