Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 120T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | 2N4930S KT632B |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|