Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 110MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 350/700 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2N4930S KT632B |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|