Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 140/280 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
sanyoБиполярные транзисторы sanyoIGBT транзисторы sanyoFET транзисторы sanyo |
Назначение | Low Power, General Purpose |
sot33 | Распиновка |
---|---|