Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 80MHz |
Cctip,pF | 45 |
Hfe | 90MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BC856R 2N2596 KT3108A |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to39 | Распиновка |
---|---|