Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 60MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BC807R 2N4930 2N6490 KT632B |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to39 | Распиновка |
---|---|