Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 40W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 12A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to220 | Распиновка |
---|---|