Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 110MHz |
Cctip,pF | 3.5 |
Hfe | 135/270 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
sanyoБиполярные транзисторы sanyoIGBT транзисторы sanyoFET транзисторы sanyo |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|