Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 110MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 150T |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | BCW85 2N5416 KT632B |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
sot33 | Распиновка |
---|---|