Биполярный транзистор - 2SA1365
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 25V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | 700mA |
| Ft,max | 180MHz |
| Cctip,pF | 8 |
| Hfe | 650T |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BCW67 2N5415 KT632B |
| Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
| Назначение | Medium Power, High Current |
| to236 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |