Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 3.7 |
Hfe | 280/560 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
sanyoБиполярные транзисторы sanyoIGBT транзисторы sanyoFET транзисторы sanyo |
Назначение | Medium Power, Low Noise |
to92 | Распиновка |
---|---|