Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 180V |
Uce,max | 160V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 1.5A |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 22 |
Hfe | 200/400 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
sanyoБиполярные транзисторы sanyoIGBT транзисторы sanyoFET транзисторы sanyo |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
sp0 | Распиновка |
---|---|