Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 140MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 60/120 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2N6518 KT632B |
Изготовитель |
necБиполярные транзисторы necIGBT транзисторы necFET транзисторы nec |
Назначение | RF, Low Power, High Voltage |
to236 | Распиновка |
---|---|