Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 85V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 80/240 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|