Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 8A |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 80/240 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BD246D 2N5627 KT887A |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | RF, Power, General Purpose |
to218 | Распиновка |
---|---|