Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 130MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 600T |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | 2N3494 KT3108A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|