Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 250T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | 2N6518 KT632B |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|