Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 2.5 |
Hfe | 120/820 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BC856 2N3494 KT3108A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|