Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 140MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 140T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | 2N6433 KT632B |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|