Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 120W |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 140MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 180/390 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
rohmБиполярные транзисторы rohmIGBT транзисторы rohmFET транзисторы rohm |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
sot323 | Распиновка |
---|---|