Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 600V |
Uce,max | 550V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 60/120 |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | Low Power, High Voltage, General Purpose |
sp0 | Распиновка |
---|---|