Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 160V |
Uce,max | 140V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 80MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 90T |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | 2N6432 KT667A9 |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|