Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 40W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 4A |
Ft,max | 12MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 140MIN |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | BD244B 2N5619 KT855B |
Изготовитель |
shindengenБиполярные транзисторы shindengenIGBT транзисторы shindengenFET транзисторы shindengen |
Назначение | Power, General Purpose |
to220 | Распиновка |
---|---|