Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 400mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 120MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | 2N3634 KT632B |
Изготовитель |
sankenБиполярные транзисторы sankenIGBT транзисторы sankenFET транзисторы sanken |
Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
to220 | Распиновка |
---|---|