Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 87W |
Ucb,max | 500V |
Uce,max | 250V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 6A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 75/180 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BDY28 |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | RF, Power, High Voltage |
to3 | Распиновка |
---|---|