Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 15V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 2MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | ASY27 2N1997 GT321V |
Изготовитель |
shindengenБиполярные транзисторы shindengenIGBT транзисторы shindengenFET транзисторы shindengen |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|