Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 200V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 60/120 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | High Power, General Purpose |
to126 | Распиновка |
---|---|