Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 15mA |
Ft,max | 8MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 15MIN |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | AF106 2N2170 GT313V |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to44-2 | Распиновка |
---|---|