Биполярный транзистор - 2N1396
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 120mW |
| Ucb,max | 40V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 10mA |
| Ft,max | 12MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 50/175 |
| Tj,max | 100ºC |
| Аналоги | AF124 2N990 GT322V |
| Изготовитель |
ampБиполярные транзисторы ampIGBT транзисторы ampFET транзисторы amp |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to33-1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |