Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 110mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF106 2N2170 GT313V |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|