Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 18V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 12V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 2MHz |
Cctip,pF | 13 |
Hfe | 80T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | ASY27 2N1997 GT125G GT125V GT321V |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | Medium Power, Switching, High Frequency |
to5 | Распиновка |
---|---|