Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 2 |
Hfe | 40T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF106 2N2170 GT313V |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | VHF, Low Power |
to1 | Распиновка |
---|---|