Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 120mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 60MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF106 2N2170 GT313V |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to7 | Распиновка |
---|---|