Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 35MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 70T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF124 2N1516 GT322V |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to44-2 | Распиновка |
---|---|