Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 60mW |
Ucb,max | 18V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 5mA |
Ft,max | 18MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 100T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF124 2N1516 GT322V |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|