Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 12MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 60T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF124 2N1516 GT322V |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|