Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 60mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 125MHz |
Cctip,pF | 2 |
Hfe | 30T |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AF106 2N2170 GT309B |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | VHF, Low Power |
to72 | Распиновка |
---|---|